エクストリーム-ライトパンチスルー (XPT) IGBT - リテルヒューズ
CMOSアナログのいまさらでも聞きたい！ ２次効果とは
トランジスタの仕組み - EMANの電子回路
IGBTについて ｜サンケン電気
購入セット アイコン ショッピング カート バーコード パンチ スルー商品ショップ ビュー注文配信ショッピング コンセプト インフォ グラフィック タイムライン アイコンと 4 つのステップ ビジネスのベクトル線アイコン | プレミアムベクター
トランジスタの仕組み - EMANの電子回路
短チャネル効果とは：MOSFET微細化の限界と対策 | Semiジャーナル
パワー半導体の基礎】IGBTの主なデバイス構造を解説｜PT型/NPT型/FS型 | アイアール技術者教育研究所 | 製造業エンジニア・研究開発者のための研修/教育ソリューション
短チャネル効果とは：MOSFET微細化の限界と対策 | Semiジャーナル
CMOSアナログのいまさらでも聞きたい！ 2012年08月
IGBTについて ｜サンケン電気
短チャネル効果とは：MOSFET微細化の限界と対策 | Semiジャーナル
ATLAS07 陽子線照射サンプルまとめ
短チャネル効果とは何か 【半導体物理】 | sciencompass
短チャネル効果とは：MOSFET微細化の限界と対策 | Semiジャーナル
非力な人のためのパワー半導体入門 PINダイオードのリカバリー(8)
パンチスルー・ダイオードおよびそれを処理する方法
短チャネル効果とは何か 【半導体物理】 | sciencompass
アプリケーション・ノート：AN-983
パンチスルー半導体装置及びそれを製造するための方法
短チャネル効果とは何か 【半導体物理】 | sciencompass
④【パワー半導体の特性】 講師：羽路伸夫
650V 1200V XPT(エクストリームライト パンチスルー)IGBT Trenchシリーズ | Littelfuseジャパン合同会社 | 製品ナビ
MOSFETスケーリング - マイクロ・ナノデバイス
短チャネル効果とは：MOSFET微細化の限界と対策 | Semiジャーナル
